
SiC MOSFET 特性評估工程師——Vishay 台北現場辦公
透過高壓測試與生產篩選,進行 Vishay SiC 功率 MOSFET 的特性評估、認證與量產發布。 這是一個位於台灣台北的全職現場辦公職位。
說明
- 進行 SiC 功率 MOSFET 的特性評估,以支援認證與量產發布
- 規劃並執行從工程樣品到認證及製造發布的測試
- 執行 DC、AC、熱、UIS/雪崩、SOA、短路、Qrr、trr 及相關應力測試
- 執行雙脈衝與應用導向的切換測試,涵蓋 Eon/Eoff、時序、dv/dt、di/dt 及振鈴
- 評估元件在不同溫度、匯流排電壓、汲極電流、閘極驅動電壓、外部閘極電阻與切換條件下的效能
- 調查異常電氣結果,並將發現與元件、晶圓製程、封裝、組裝及測試變數建立關聯
- 建立良品與不良品的特性評估方法,並定義用於生產篩選的電氣特徵
- 支援工作台測試與 ATE 的相關性分析、資料表限值、產品規格、保護帶及生產測試限值
- 記錄特性評估結果,並向跨職能團隊提出技術結論
職位要求
- 電機工程、電子工程、半導體工程、物理或相關領域的學士或碩士學位
- 通常需要五年或以上功率半導體特性評估、產品工程、元件工程或應用工程經驗
- 強烈優先考慮具備 SiC MOSFET 實務經驗者
- 高度希望具備 650 V 至 1700 V 或更高電壓功率元件經驗
- 具備優秀的實驗室操作、問題解決、統計分析與技術溝通能力
- 深入了解 SiC MOSFET 物理特性、切換行為、閘極氧化層行為、電容、體二極體反向恢復、雪崩、SOA 及溫度效應
- 具備使用 Keysight B1505A、B1506A 或 PID1500 等功率元件分析儀或同等設備測試高壓產品的實務經驗,並熟悉曲線描繪儀、雙脈衝系統、示波器、高壓探棒、電流探棒以及 LCR 或阻抗分析儀
- 了解高壓測量規範、爬電距離與電氣間隙、開爾文連接、接地、寄生電感、治具設計與測量相關性
- 具備使用 Python、JMP、Spotfire、MATLAB 或同類工具分析特性評估資料的經驗
- 具備紮實的測試硬體技能,包括開發與除錯測試板及相關電路
- 優先考慮具備車用級 SiC MOSFET 開發與 AEC-Q101 認證經驗者
- 優先考慮具備將產品從工程特性評估推進至認證及大量生產經驗者
- 優先考慮具備晶圓級與最終測試相關性分析、生產 ATE 篩選及製造資料分析經驗者
- 優先考慮具備 SiC 可靠性測試經驗者,例如 HTRB、HTGB、TDDB、臨界電壓穩定性及高溫操作測試
福利待遇
- 提供廣泛的福利組合與支援資源,協助實現個人及職涯目標
- 提供多元的職涯發展機會
- 開放且重視合作的工作文化
- 穩定的業務環境
- 有機會與全球及在地團隊合作








