Vishay Intertechnology, Inc.
Vishay Intertechnology, Inc.
Vishay Intertechnology, Inc. razvija i proizvodi diskretne poluvodiče i pasivne elektroničke komponente koje se upotrebljavaju u automobilskoj industriji, industriji, računalstvu, telekomunikacijama, zrakoplovstvu, obrani, medicini i potrošačkim proizvodima. Njezin portfelj obuhvaća diode, MOSFET tranzistore, energetske module, kondenzatore, otpornike, induktore, optoelektroniku, senzore i komponente izrađene po narudžbi. Tvrtka pruža podršku proizvođačima originalne opreme i distributerima diljem svijeta pri odabiru komponenti, referentnim dizajnima i inženjerskim stručnim znanjem usmjerenim na pouzdan razvoj proizvoda.

Inženjer karakterizacije SiC MOSFET-a – Vishay, rad na lokaciji u Taipeiju

Karakterizirajte, kvalificirajte i odobravajte Vishayove SiC energetske MOSFET-e kroz visokonaponska ispitivanja i proizvodni probir. Ovo je radno mjesto s punim radnim vremenom na lokaciji u Taipeiju na Tajvanu.

Opis

  • Karakterizirajte i procjenjujte SiC energetske MOSFET-e za kvalifikaciju i puštanje u proizvodnju
  • Planirajte i provodite ispitivanja od inženjerskih uzoraka do kvalifikacije i puštanja u proizvodnju
  • Provodeći DC, AC, toplinska, UIS/avalanche, SOA, ispitivanja kratkog spoja, Qrr, trr i povezana stresna ispitivanja
  • Izvodite dvostruka impulsna i aplikacijski usmjerena sklopna ispitivanja koja obuhvaćaju Eon/Eoff, vremenske parametre, dv/dt, di/dt i zvonjenje
  • Procjenjujte rad komponenti pri različitim temperaturama, naponima sabirnice, strujama odvoda, naponima upravljanja gejtom, vanjskim otporima gejta i sklopnim uvjetima
  • Istražujte neuobičajene električne rezultate i povezujte nalaze s varijablama komponente, procesa izrade pločice, kućišta, sklapanja i ispitivanja
  • Izradite metode karakterizacije za razlikovanje ispravnih i neispravnih komponenti te definirajte električne potpise za proizvodni probir
  • Podržavajte korelaciju između laboratorijskog ispitivanja i ATE-a, granice podatkovnog lista, specifikacije proizvoda, zaštitne pojaseve i granice proizvodnih ispitivanja
  • Dokumentirajte rezultate karakterizacije i prezentirajte tehničke zaključke međufunkcionalnim timovima

Zahtjevi

  • Preddiplomski ili diplomski studij elektrotehnike, elektronike, poluvodičkog inženjerstva, fizike ili srodnog područja
  • U pravilu najmanje pet godina iskustva u karakterizaciji energetskih poluvodiča, razvoju proizvoda, razvoju komponenti ili aplikacijskom inženjerstvu
  • Praktično iskustvo sa SiC MOSFET-ima velika je prednost
  • Iskustvo s energetskim komponentama napona od 650 V do 1700 V ili višeg vrlo je poželjno
  • Izražene laboratorijske, analitičke, statističke i komunikacijske vještine
  • Temeljito poznavanje fizike SiC MOSFET-a, sklopnog ponašanja, ponašanja oksida gejta, kapaciteta, oporavka ugrađene diode, lavinskog proboja, SOA-e i utjecaja temperature
  • Praktično iskustvo u ispitivanju visokonaponskih proizvoda pomoću analizatora energetskih komponenti kao što su Keysight B1505A, B1506A ili PID1500, ili ekvivalentne opreme, zajedno s traserima karakteristika, dvostrukim impulsnim sustavima, osciloskopima, visokonaponskim i strujnim sondama te LCR ili impedancijskim analizatorima
  • Poznavanje postupaka visokonaponskih mjerenja, puznih i zračnih razmaka, Kelvinovih spojeva, uzemljenja, parazitske induktivnosti, dizajna ispitnih sklopova i korelacije mjerenja
  • Iskustvo u analizi podataka karakterizacije pomoću alata Python, JMP, Spotfire, MATLAB ili usporedivih alata
  • Izražene vještine rada s ispitnim hardverom, uključujući razvoj i otklanjanje pogrešaka na ispitnim pločama i povezanim sklopovima
  • Iskustvo u razvoju automobilskih SiC MOSFET-a i kvalifikaciji prema AEC-Q101 je prednost
  • Iskustvo u vođenju proizvoda od inženjerske karakterizacije preko kvalifikacije do velikoserijske proizvodnje je prednost
  • Iskustvo s korelacijom ispitivanja na razini pločice i završnog ispitivanja, proizvodnim ATE probirima i analizom proizvodnih podataka je prednost
  • Iskustvo s ispitivanjima pouzdanosti SiC-a kao što su HTRB, HTGB, TDDB, stabilnost praga napona i rad pri visokim temperaturama je prednost

Pogodnosti

  • Širok paket pogodnosti i resursa za ostvarivanje osobnih i profesionalnih ciljeva
  • Izrazite mogućnosti razvoja karijere
  • Otvorena kultura suradnje
  • Stabilno poslovno okruženje
  • Mogućnosti rada s globalnim i lokalnim timovima