Vishay Intertechnology, Inc.は、車載、産業機器、コンピューティング、通信、航空宇宙、防衛、医療、民生製品など幅広い分野で使用されるディスクリート半導体および受動電子部品を開発・製造しています。製品ポートフォリオには、ダイオード、MOSFET、パワーモジュール、コンデンサ、抵抗器、インダクタ、オプトエレクトロニクス、センサー、カスタム部品などが含まれます。同社は世界各地のOEMメーカーや販売代理店に対し、部品選定、リファレンス設計、エンジニアリングの専門知識を提供し、信頼性の高い製品開発を支援しています。
SiC MOSFET 特性評価エンジニア——Vishay 台北オンサイト
高電圧試験と量産スクリーニングを通じて、Vishay の SiC パワー MOSFET の特性評価、認定、量産リリースを行います。 台湾・台北を勤務地とするフルタイムのオンサイト勤務です。
仕事内容
- SiC パワー MOSFET の特性を評価し、認定および量産リリースを支援する
- エンジニアリングサンプルから認定、製造リリースまでの試験を計画・実行する
- DC、AC、熱、UIS/アバランシェ、SOA、短絡、Qrr、trr および関連するストレス試験を実施する
- Eon/Eoff、タイミング、dv/dt、di/dt、リンギングを対象とするダブルパルスおよびアプリケーション重視のスイッチング試験を実行する
- 温度、バス電圧、ドレイン電流、ゲート駆動電圧、外部ゲート抵抗、スイッチング条件を変化させてデバイス性能を評価する
- 異常な電気的結果を調査し、デバイス、ウェハプロセス、パッケージ、組立、試験の各変数と関連付ける
- 良品と不良品を判別する特性評価手法を作成し、量産スクリーニング用の電気的シグネチャを定義する
- ベンチ試験と ATE の相関評価、データシート限界、製品仕様、ガードバンド、量産試験限界を支援する
- 特性評価結果を文書化し、部門横断チームに技術的な結論を提示する
応募要件
- 電気工学、電子工学、半導体工学、物理学、または関連分野の学士号または修士号
- 通常、パワー半導体の特性評価、製品エンジニアリング、デバイスエンジニアリング、アプリケーションエンジニアリングのいずれかで 5 年以上の経験
- SiC MOSFET の実務経験が強く望ましい
- 650 V から 1700 V 以上のパワーデバイスの経験が非常に望ましい
- 優れた実験室業務、問題解決、統計分析、技術コミュニケーション能力
- SiC MOSFET の物理特性、スイッチング動作、ゲート酸化膜の挙動、容量、ボディダイオードの逆回復、アバランシェ、SOA、温度影響に関する深い知識
- Keysight B1505A、B1506A、PID1500 などのパワーデバイスアナライザまたは同等装置を用いた高電圧製品の試験経験に加え、カーブトレーサ、ダブルパルスシステム、オシロスコープ、高電圧プローブ、電流プローブ、LCR またはインピーダンスアナライザの使用経験
- 高電圧測定、沿面距離と空間距離、ケルビン接続、接地、寄生インダクタンス、治具設計、測定相関に関する知識
- Python、JMP、Spotfire、MATLAB、または同等のツールを用いた特性評価データ分析の経験
- テストボードおよび関連回路の開発・デバッグを含む、確かなテストハードウェアスキル
- 車載グレード SiC MOSFET の開発および AEC-Q101 認定の経験が望ましい
- 製品をエンジニアリング特性評価から認定および大量生産まで移行した経験が望ましい
- ウェハレベルと最終試験の相関評価、量産 ATE スクリーニング、製造データ分析の経験が望ましい
- HTRB、HTGB、TDDB、しきい値電圧安定性、高温動作などの SiC 信頼性試験の経験が望ましい
福利厚生
- 個人および職業上の目標を支援する幅広い福利厚生とサポートリソース
- 多様なキャリア開発の機会
- オープンで協力的な職場文化
- 安定した事業環境
- グローバルおよびローカルチームと協働する機会
