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Vishay Intertechnology, Inc.
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AutomobileDéfenseSoins de santé
Vishay Intertechnology, Inc. développe et fabrique des semi-conducteurs discrets et des composants électroniques passifs utilisés dans les secteurs automobile, industriel, informatique, des télécommunications, de l’aérospatiale, de la défense, médical et des produits grand public. Son portefeuille comprend des diodes, des MOSFET, des modules de puissance, des condensateurs, des résistances, des inductances, des composants optoélectroniques, des capteurs et des composants personnalisés. L’entreprise accompagne les fabricants d’équipements d’origine et les distributeurs du monde entier grâce à la sélection de composants, à des conceptions de référence et à une expertise en ingénierie axée sur le développement fiable de produits.
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Offres de l’entreprise

Ingénieur en caractérisation de MOSFET SiC - Vishay sur site à Taipei

Caractériser, qualifier et libérer les MOSFET de puissance SiC de Vishay au moyen d’essais haute tension et du contrôle en production. Ce poste à temps plein et sur site est basé à Taipei, à Taïwan.

TWTaïwanSur siteTemps pleinIntermédiaireSeniorLangue Requise : anglaisIngénieur
AssembleurCommutationPython

Description

  • Caractériser et évaluer des MOSFET de puissance SiC pour la qualification et la libération en production
  • Planifier et réaliser des essais depuis les échantillons d’ingénierie jusqu’à la qualification et la libération pour la fabrication
  • Effectuer des essais de contrainte en CC, CA, thermiques, UIS/avalanche, SOA, court-circuit, Qrr, trr et autres essais associés
  • Réaliser des essais de commutation à double impulsion et orientés application couvrant Eon/Eoff, la temporisation, dv/dt, di/dt et les oscillations
  • Évaluer les performances des composants selon la température, la tension de bus, le courant de drain, la tension de commande de grille, la résistance de grille externe et les conditions de commutation
  • Analyser les résultats électriques anormaux et relier les observations aux variables du composant, du procédé de wafer, du boîtier, de l’assemblage et des essais
  • Créer des techniques de caractérisation permettant de distinguer les composants conformes des composants défectueux et définir des signatures électriques pour le contrôle en production
  • Contribuer à la corrélation entre banc d’essai et ATE, aux limites des fiches techniques, aux spécifications produit, aux bandes de garde et aux limites des tests de production
  • Documenter les résultats de caractérisation et présenter les conclusions techniques aux équipes pluridisciplinaires

Exigences

  • Diplôme de licence ou de master en génie électrique, génie électronique, ingénierie des semi-conducteurs, physique ou domaine connexe
  • Généralement, au moins cinq ans d’expérience en caractérisation de semi-conducteurs de puissance, ingénierie produit, ingénierie des composants ou ingénierie d’application
  • Une expérience pratique des MOSFET SiC est fortement souhaitée
  • Une expérience des composants de puissance de 650 V à 1700 V ou plus est vivement souhaitée
  • Solides compétences en laboratoire, en résolution de problèmes, en analyse statistique et en communication technique
  • Connaissance approfondie de la physique des MOSFET SiC, du comportement de commutation, du comportement de l’oxyde de grille, de la capacité, de la récupération de la diode de corps, de l’avalanche, de la SOA et des effets de la température
  • Expérience pratique des essais de produits haute tension avec des analyseurs de composants de puissance tels que Keysight B1505A, B1506A ou PID1500, ou des équipements équivalents, ainsi qu’avec des traceurs de courbes, des systèmes à double impulsion, des oscilloscopes, des sondes haute tension, des sondes de courant et des analyseurs LCR ou d’impédance
  • Connaissance des pratiques de mesure haute tension, des lignes de fuite et distances d’isolement, des connexions Kelvin, de la mise à la terre, de l’inductance parasite, de la conception de montages et de la corrélation des mesures
  • Expérience de l’analyse de données de caractérisation avec Python, JMP, Spotfire, MATLAB ou des outils comparables
  • Solides compétences en matériel de test, notamment pour développer et déboguer des cartes de test et les circuits associés
  • Une expérience du développement de MOSFET SiC de qualité automobile et de la qualification AEC-Q101 est souhaitée
  • Une expérience du transfert de produits de la caractérisation d’ingénierie à la qualification et à la fabrication en grand volume est souhaitée
  • Une expérience de la corrélation entre essais au niveau wafer et essais finaux, du contrôle de production par ATE et de l’analyse des données de fabrication est souhaitée
  • Une expérience des essais de fiabilité SiC, tels que HTRB, HTGB, TDDB, la stabilité de la tension de seuil et le fonctionnement à haute température est souhaitée

Avantages

  • Un large ensemble d’avantages et de ressources d’accompagnement pour les objectifs personnels et professionnels
  • De réelles possibilités de développement de carrière
  • Une culture de travail ouverte et collaborative
  • Un environnement d’entreprise stable
  • Des possibilités de travailler avec des équipes mondiales et locales

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