
Vishay Intertechnology, Inc. desarrolla y fabrica semiconductores discretos y componentes electrónicos pasivos utilizados en los sectores automotriz, industrial, informático, de telecomunicaciones, aeroespacial, de defensa, médico y de productos de consumo. Su cartera incluye diodos, MOSFET, módulos de potencia, condensadores, resistencias, inductores, optoelectrónica, sensores y componentes personalizados. La empresa presta apoyo a fabricantes de equipos originales y distribuidores de todo el mundo mediante la selección de componentes, diseños de referencia y conocimientos de ingeniería centrados en un desarrollo de productos fiable.
Ingeniero de Caracterización de MOSFET SiC - Vishay Presencial en Taipéi
Caracterizar, calificar y liberar MOSFET de potencia SiC de Vishay mediante pruebas de alta tensión y cribado en producción. Este puesto a tiempo completo y presencial está ubicado en Taipéi, Taiwán.
Descripción
- Caracterizar y evaluar MOSFET de potencia SiC para su calificación y liberación en producción
- Planificar y ejecutar pruebas desde muestras de ingeniería hasta la calificación y la liberación para fabricación
- Realizar pruebas de estrés de CC, CA, térmicas, UIS/avalancha, SOA, cortocircuito, Qrr, trr y otras relacionadas
- Ejecutar pruebas de conmutación de doble pulso y orientadas a aplicaciones, cubriendo Eon/Eoff, temporización, dv/dt, di/dt y oscilaciones
- Evaluar el rendimiento del dispositivo en distintas temperaturas, tensiones de bus, corrientes de drenaje, tensiones de control de puerta, resistencias de puerta externas y condiciones de conmutación
- Investigar resultados eléctricos anómalos y relacionar los hallazgos con variables del dispositivo, del proceso de oblea, del encapsulado, del ensamblaje y de las pruebas
- Crear técnicas de caracterización para distinguir dispositivos buenos de defectuosos y definir firmas eléctricas para el cribado en producción
- Apoyar la correlación entre banco de pruebas y ATE, los límites de las hojas de datos, las especificaciones del producto, las bandas de guarda y los límites de prueba de producción
- Documentar los resultados de caracterización y presentar conclusiones técnicas a equipos multifuncionales
Requisitos
- Título de grado o máster en ingeniería eléctrica, ingeniería electrónica, ingeniería de semiconductores, física o un campo relacionado
- Normalmente, cinco o más años de experiencia en caracterización de semiconductores de potencia, ingeniería de producto, ingeniería de dispositivos o ingeniería de aplicaciones
- Se valora especialmente la experiencia práctica con MOSFET SiC
- Es muy deseable tener experiencia con dispositivos de potencia de 650 V a 1700 V o más
- Sólidas capacidades de laboratorio, resolución de problemas, análisis estadístico y comunicación técnica
- Amplios conocimientos sobre la física de los MOSFET SiC, el comportamiento de conmutación, el comportamiento del óxido de puerta, la capacitancia, la recuperación del diodo interno, la avalancha, la SOA y los efectos de la temperatura
- Experiencia práctica en pruebas de productos de alta tensión con analizadores de dispositivos de potencia como Keysight B1505A, B1506A o PID1500, o equipos equivalentes, además de trazadores de curvas, sistemas de doble pulso, osciloscopios, sondas de alta tensión, sondas de corriente y analizadores LCR o de impedancia
- Conocimientos de prácticas de medición de alta tensión, distancias de fuga y aislamiento, conexiones Kelvin, puesta a tierra, inductancia parásita, diseño de accesorios y correlación de mediciones
- Experiencia en el análisis de datos de caracterización con Python, JMP, Spotfire, MATLAB o herramientas comparables
- Sólidas habilidades de hardware de pruebas, incluido el desarrollo y la depuración de placas de prueba y circuitos asociados
- Se valora la experiencia en desarrollo de MOSFET SiC de grado automotriz y en calificación AEC-Q101
- Se valora la experiencia en llevar productos desde la caracterización de ingeniería hasta la calificación y la fabricación de alto volumen
- Se valora la experiencia en correlación entre pruebas a nivel de oblea y pruebas finales, cribado mediante ATE de producción y análisis de datos de fabricación
- Se valora la experiencia en pruebas de fiabilidad de SiC, como HTRB, HTGB, TDDB, estabilidad de la tensión umbral y operación a alta temperatura
Beneficios
- Un amplio paquete de beneficios y recursos de apoyo para objetivos personales y profesionales
- Oportunidades concretas de desarrollo profesional
- Una cultura de trabajo abierta y colaborativa
- Un entorno empresarial estable
- Oportunidades para trabajar con equipos globales y locales