Vishay Intertechnology, Inc. utvecklar och tillverkar diskreta halvledare och passiva elektroniska komponenter som används inom fordonsindustrin, industrin, datorteknik, telekommunikation, flyg- och rymdteknik, försvar, medicinteknik och konsumentprodukter. Produktportföljen omfattar dioder, MOSFET:ar, kraftmoduler, kondensatorer, motstånd, induktorer, optoelektronik, sensorer och kundanpassade komponenter. Företaget hjälper OEM-tillverkare och distributörer världen över med komponentval, referenskonstruktioner och teknisk expertis med fokus på tillförlitlig produktutveckling.
Karaktäriseringsingenjör för SiC MOSFET - Vishay på plats i Taipei
Karaktärisera, kvalificera och frisläpp Vishays SiC-effekt-MOSFET:er genom högspänningstestning och produktionsscreening. Detta heltidsarbete på plats är baserat i Taipei, Taiwan.
Beskrivning
- Karaktärisera och utvärdera SiC-effekt-MOSFET:er för kvalificering och produktionsfrisläppning
- Planera och genomföra tester från ingenjörsprover till kvalificering och frisläppning för tillverkning
- Genomföra DC-, AC-, termiska, UIS-/lavin-, SOA-, kortslutnings-, Qrr-, trr- och relaterade stresstester
- Utföra dubbelpulstester och applikationsinriktade switchningstester som omfattar Eon/Eoff, tidsförlopp, dv/dt, di/dt och ringningar
- Utvärdera komponenternas prestanda vid olika temperaturer, busspänningar, drainströmmar, gate-drivspänningar, externa gate-resistanser och switchningsförhållanden
- Undersöka avvikande elektriska resultat och koppla resultaten till variabler i komponent, waferprocess, kapsling, montering och testning
- Skapa metoder för att skilja mellan bra och dåliga komponenter och definiera elektriska signaturer för produktionsscreening
- Stödja korrelation mellan bänktest och ATE, databladens gränsvärden, produktspecifikationer, vaktband och gränser för produktionstestning
- Dokumentera karakteriseringsresultat och presentera tekniska slutsatser för tvärfunktionella team
Krav
- Kandidatexamen eller masterexamen i elektroteknik, elektronik, halvledarteknik, fysik eller ett närliggande område
- Vanligtvis minst fem års erfarenhet av karakterisering av krafthalvledare, produktteknik, komponentteknik eller applikationsteknik
- Praktisk erfarenhet av SiC MOSFET:er är starkt meriterande
- Erfarenhet av 650 V till 1700 V eller högre effektkomponenter är mycket meriterande
- Stark laboratoriekompetens samt god förmåga inom problemlösning, statistisk analys och teknisk kommunikation
- Djupgående kunskaper om SiC MOSFET-fysik, switchningsbeteende, gateoxidens beteende, kapacitans, återhämtning i kroppsdioden, lavin, SOA och temperatureffekter
- Praktisk erfarenhet av att testa högspänningsprodukter med analysatorer för effektkomponenter, såsom Keysight B1505A, B1506A eller PID1500, eller motsvarande utrustning, samt kurvtracers, dubbelpulssystem, oscilloskop, högspänningsprober, strömprober och LCR- eller impedansanalysatorer
- Kunskap om metoder för högspänningsmätning, krypavstånd och luftavstånd, Kelvinanslutningar, jordning, parasitisk induktans, fixturkonstruktion och mätkorrelation
- Erfarenhet av att analysera karakteriseringsdata med Python, JMP, Spotfire, MATLAB eller jämförbara verktyg
- Stark kompetens inom testhårdvara, inklusive utveckling och felsökning av testkort och tillhörande kretsar
- Erfarenhet av utveckling av SiC MOSFET:er för fordonsindustrin och AEC-Q101-kvalificering är meriterande
- Erfarenhet av att ta produkter från ingenjörskarakterisering genom kvalificering till högvolymstillverkning är meriterande
- Erfarenhet av korrelation mellan wafer- och sluttest, ATE-screening i produktion och analys av tillverkningsdata är meriterande
- Erfarenhet av tillförlitlighetstestning av SiC, såsom HTRB, HTGB, TDDB, tröskelspänningsstabilitet och drift vid hög temperatur, är meriterande
Förmåner
- Ett omfattande förmånspaket och stödresurser för personliga och yrkesmässiga mål
- Goda möjligheter till karriärutveckling
- En öppen och samarbetsinriktad arbetskultur
- En stabil affärsmiljö
- Möjlighet att arbeta med globala och lokala team