Vishay Intertechnology, Inc. พัฒนาและผลิตเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วนและชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แบบพาสซีฟที่ใช้ในยานยนต์ อุตสาหกรรม คอมพิวเตอร์ โทรคมนาคม อากาศยานและอวกาศ กลาโหม การแพทย์ และผลิตภัณฑ์อุปโภคบริโภค กลุ่มผลิตภัณฑ์ของบริษัทประกอบด้วยไดโอด MOSFET โมดูลกำลัง ตัวเก็บประจุ ตัวต้านทาน ตัวเหนี่ยวนำ ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ เซ็นเซอร์ และชิ้นส่วนสั่งทำพิเศษ บริษัทให้การสนับสนุนผู้ผลิตอุปกรณ์ต้นแบบ (OEM) และผู้จัดจำหน่ายทั่วโลกด้วยคำแนะนำด้านการเลือกชิ้นส่วน การออกแบบอ้างอิง และความเชี่ยวชาญด้านวิศวกรรม โดยมุ่งเน้นการพัฒนาผลิตภัณฑ์ที่เชื่อถือได้
วิศวกรวิเคราะห์คุณลักษณะ SiC MOSFET - ปฏิบัติงานที่ Vishay Taipei
วิเคราะห์คุณลักษณะ ประเมิน และอนุมัติ SiC power MOSFET ของ Vishay ผ่านการทดสอบแรงดันสูงและการคัดกรองในกระบวนการผลิต ตำแหน่งงานเต็มเวลานี้ปฏิบัติงานที่สถานที่ทำงานในไทเป ประเทศไต้หวัน
รายละเอียด
- วิเคราะห์คุณลักษณะและประเมิน SiC power MOSFET เพื่อการรับรองและการอนุมัติสำหรับการผลิต
- วางแผนและดำเนินการทดสอบตั้งแต่ตัวอย่างทางวิศวกรรมจนถึงการรับรองและการนำเข้าสู่การผลิต
- ดำเนินการทดสอบ DC, AC, ความร้อน, UIS/avalanche, SOA, ลัดวงจร, Qrr, trr และการทดสอบความเค้นที่เกี่ยวข้อง
- ดำเนินการทดสอบการสวิตชิ่งแบบ double-pulse และการทดสอบที่มุ่งเน้นการใช้งาน ครอบคลุม Eon/Eoff, timing, dv/dt, di/dt และ ringing
- ประเมินประสิทธิภาพของอุปกรณ์ภายใต้อุณหภูมิ แรงดันบัส กระแส drain แรงดันขับเกต ความต้านทานเกตภายนอก และเงื่อนไขการสวิตชิ่งต่าง ๆ
- ตรวจสอบผลทางไฟฟ้าที่ผิดปกติและเชื่อมโยงข้อค้นพบกับตัวแปรด้านอุปกรณ์ กระบวนการ wafer แพ็กเกจ การประกอบ และการทดสอบ
- สร้างเทคนิคการวิเคราะห์คุณลักษณะเพื่อแยกแยะอุปกรณ์ที่ดีและเสีย พร้อมกำหนดลายเซ็นทางไฟฟ้าสำหรับการคัดกรองในกระบวนการผลิต
- สนับสนุนการหาความสัมพันธ์ระหว่าง bench กับ ATE ขีดจำกัดใน datasheet ข้อกำหนดผลิตภัณฑ์ guard band และขีดจำกัดการทดสอบในการผลิต
- จัดทำเอกสารผลการวิเคราะห์คุณลักษณะและนำเสนอข้อสรุปทางเทคนิคต่อทีมสหสาขา
คุณสมบัติ
- วุฒิปริญญาตรีหรือปริญญาโทด้านวิศวกรรมไฟฟ้า วิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ วิศวกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ฟิสิกส์ หรือสาขาที่เกี่ยวข้อง
- โดยทั่วไปต้องมีประสบการณ์อย่างน้อย 5 ปีด้านการวิเคราะห์คุณลักษณะเซมิคอนดักเตอร์กำลัง วิศวกรรมผลิตภัณฑ์ วิศวกรรมอุปกรณ์ หรือวิศวกรรมการประยุกต์ใช้งาน
- หากมีประสบการณ์ภาคปฏิบัติกับ SiC MOSFET จะได้รับการพิจารณาเป็นพิเศษ
- หากมีประสบการณ์กับอุปกรณ์กำลังระดับ 650 V ถึง 1700 V หรือสูงกว่า จะได้รับการพิจารณาเป็นอย่างยิ่ง
- มีความสามารถสูงด้านงานห้องปฏิบัติการ การแก้ปัญหา การวิเคราะห์เชิงสถิติ และการสื่อสารทางเทคนิค
- มีความรู้เชิงลึกเกี่ยวกับฟิสิกส์ของ SiC MOSFET พฤติกรรมการสวิตชิ่ง พฤติกรรมของ gate oxide ค่าความจุ การคืนตัวของ body diode, avalanche, SOA และผลกระทบจากอุณหภูมิ
- มีประสบการณ์จริงในการทดสอบผลิตภัณฑ์แรงดันสูงด้วยเครื่องวิเคราะห์อุปกรณ์กำลัง เช่น Keysight B1505A, B1506A หรือ PID1500 หรืออุปกรณ์เทียบเท่า รวมถึง curve tracer ระบบ double-pulse ออสซิลโลสโคป โพรบแรงดันสูง โพรบกระแส และเครื่องวิเคราะห์ LCR หรืออิมพีแดนซ์
- มีความรู้เกี่ยวกับแนวปฏิบัติด้านการวัดแรงดันสูง ระยะ creepage และ clearance การเชื่อมต่อแบบ Kelvin การต่อลงกราวด์ อินดักแตนซ์ปรสิต การออกแบบฟิกซ์เจอร์ และการหาความสัมพันธ์ของการวัด
- มีประสบการณ์วิเคราะห์ข้อมูลคุณลักษณะด้วย Python, JMP, Spotfire, MATLAB หรือเครื่องมือที่เทียบเท่า
- มีทักษะด้านฮาร์ดแวร์การทดสอบที่ดี รวมถึงการพัฒนาและแก้ไขปัญหาแผงวงจรทดสอบและวงจรที่เกี่ยวข้อง
- หากมีประสบการณ์พัฒนา SiC MOSFET ระดับยานยนต์และการรับรอง AEC-Q101 จะได้รับการพิจารณาเป็นพิเศษ
- หากมีประสบการณ์นำผลิตภัณฑ์ตั้งแต่การวิเคราะห์คุณลักษณะทางวิศวกรรม ผ่านการรับรอง จนถึงการผลิตปริมาณมาก จะได้รับการพิจารณาเป็นพิเศษ
- หากมีประสบการณ์ด้านการหาความสัมพันธ์ระหว่างระดับ wafer กับการทดสอบขั้นสุดท้าย การคัดกรองด้วย ATE ในการผลิต และการวิเคราะห์ข้อมูลการผลิต จะได้รับการพิจารณาเป็นพิเศษ
- หากมีประสบการณ์การทดสอบความน่าเชื่อถือของ SiC เช่น HTRB, HTGB, TDDB ความเสถียรของแรงดัน threshold และการทำงานที่อุณหภูมิสูง จะได้รับการพิจารณาเป็นพิเศษ
สวัสดิการ
- สิทธิประโยชน์ที่หลากหลายและทรัพยากรสนับสนุนเป้าหมายส่วนตัวและการทำงาน
- โอกาสที่โดดเด่นในการพัฒนาสายอาชีพ
- วัฒนธรรมการทำงานที่เปิดกว้างและร่วมมือกัน
- สภาพแวดล้อมทางธุรกิจที่มั่นคง
- โอกาสทำงานร่วมกับทีมระดับโลกและทีมท้องถิ่น