Vishay Intertechnology, Inc.
Vishay Intertechnology, Inc.
Vishay Intertechnology, Inc. utvikler og produserer diskrete halvledere og passive elektroniske komponenter som brukes innen bilindustrien, industrien, datateknologi, telekommunikasjon, luftfart og romfart, forsvar, medisinsk utstyr og forbrukerprodukter. Produktporteføljen omfatter dioder, MOSFET-er, effektmoduler, kondensatorer, motstander, induktorer, optoelektronikk, sensorer og kundetilpassede komponenter. Selskapet støtter OEM-produsenter og distributører over hele verden med komponentvalg, referansedesign og teknisk ekspertise med fokus på pålitelig produktutvikling.

Karakteriseringsingeniør for SiC MOSFET - Vishay med arbeidssted i Taipei

Karakteriser, kvalifiser og frigjør Vishays SiC-effekt-MOSFET-er gjennom høyspenningstesting og produksjonsscreening. Dette er en heltidsstilling med arbeidssted i Taipei, Taiwan.

Beskrivelse

  • Karakteriser og evaluer SiC-effekt-MOSFET-er for kvalifisering og produksjonsfrigivelse
  • Planlegg og gjennomfør testing fra ingeniørprøver gjennom kvalifisering og frigivelse til produksjon
  • Utfør DC-, AC-, termiske, UIS-/lavine-, SOA-, kortslutnings-, Qrr-, trr- og relaterte stresstester
  • Kjør dobbeltpulstester og applikasjonsfokuserte svitsjetester som dekker Eon/Eoff, timing, dv/dt, di/dt og ringing
  • Vurder komponentenes ytelse ved ulike temperaturer, busspenninger, drainstrømmer, gate-drivspenninger, eksterne gate-motstander og svitsjeforhold
  • Undersøk unormale elektriske resultater og knytt funnene til variabler i komponent, waferprosess, kapsling, montering og testing
  • Utvikle karakteriseringsteknikker for å skille mellom gode og dårlige komponenter, og definer elektriske signaturer for produksjonsscreening
  • Støtt korrelasjon mellom benktest og ATE, databladsgrenser, produktspesifikasjoner, guard bands og grenser for produksjonstesting
  • Dokumenter karakteriseringsresultater og presenter tekniske konklusjoner for tverrfunksjonelle team

Krav

  • Bachelor- eller mastergrad i elektroteknikk, elektronikk, halvlederteknikk, fysikk eller et beslektet fagområde
  • Vanligvis minst fem års erfaring med karakterisering av effekthalvledere, produktteknikk, komponentteknikk eller applikasjonsteknikk
  • Praktisk erfaring med SiC MOSFET-er er sterkt ønskelig
  • Erfaring med 650 V til 1700 V eller høyere effektenheter er svært ønskelig
  • Gode ferdigheter innen laboratoriearbeid, problemløsing, statistisk analyse og teknisk kommunikasjon
  • Grundig kunnskap om SiC MOSFET-fysikk, svitsjeadferd, gateoksidets egenskaper, kapasitans, gjenoppretting i body-dioden, lavine, SOA og temperatureffekter
  • Praktisk erfaring med testing av høyspenningsprodukter ved hjelp av effektenhetsanalysatorer som Keysight B1505A, B1506A eller PID1500, eller tilsvarende utstyr, samt kurvetracere, dobbeltpulssystemer, oscilloskoper, høyspenningsprober, strømprober og LCR- eller impedansanalysatorer
  • Kunnskap om praksis for høyspenningsmåling, krypavstand og luftavstand, Kelvin-tilkoblinger, jording, parasittisk induktans, fixturedesign og målekorrelasjon
  • Erfaring med analyse av karakteriseringsdata ved hjelp av Python, JMP, Spotfire, MATLAB eller tilsvarende verktøy
  • Gode ferdigheter innen testmaskinvare, inkludert utvikling og feilsøking av testkort og tilhørende kretser
  • Erfaring med utvikling av SiC MOSFET-er for bilindustrien og AEC-Q101-kvalifisering er ønskelig
  • Erfaring med å ta produkter fra ingeniørkarakterisering gjennom kvalifisering til høyvolumproduksjon er ønskelig
  • Erfaring med korrelasjon mellom wafer- og sluttest, ATE-screening i produksjon og analyse av produksjonsdata er ønskelig
  • Erfaring med SiC-pålitelighetstesting som HTRB, HTGB, TDDB, stabilitet for terskelspenning og drift ved høy temperatur er ønskelig

Fordeler

  • En bred portefølje av personalgoder og støtteressurser for personlige og faglige mål
  • Gode muligheter for karriereutvikling
  • En åpen og samarbeidsorientert arbeidskultur
  • Et stabilt forretningsmiljø
  • Muligheter for å arbeide på tvers av globale og lokale team