
SiC MOSFET 特性评估工程师——Vishay 台北现场办公
通过高压测试和生产筛选,对 Vishay SiC 功率 MOSFET 进行特性评估、认证和量产发布。 这是一个位于中国台湾台北的全职现场办公职位。
描述
- 对 SiC 功率 MOSFET 进行特性评估,以支持认证和量产发布
- 规划并执行从工程样品到认证及制造发布的测试
- 开展 DC、AC、热、UIS/雪崩、SOA、短路、Qrr、trr 及相关应力测试
- 执行双脉冲和面向应用的开关测试,涵盖 Eon/Eoff、时序、dv/dt、di/dt 及振铃
- 评估器件在不同温度、母线电压、漏极电流、栅极驱动电压、外部栅极电阻和开关条件下的性能
- 调查异常电气结果,并将发现与器件、晶圆工艺、封装、组装和测试变量相关联
- 建立良品与不良品的特性评估方法,并定义用于生产筛选的电气特征
- 支持台架测试与 ATE 的相关性分析、数据表限值、产品规格、保护带和生产测试限值的制定
- 记录特性评估结果,并向跨职能团队汇报技术结论
任职要求
- 电气工程、电子工程、半导体工程、物理或相关领域的学士或硕士学位
- 通常需要五年或以上功率半导体特性评估、产品工程、器件工程或应用工程经验
- 强烈优先考虑具备 SiC MOSFET 实践经验者
- 高度希望具备 650 V 至 1700 V 或更高电压功率器件经验
- 具备出色的实验室操作、问题解决、统计分析和技术沟通能力
- 深入了解 SiC MOSFET 物理特性、开关行为、栅氧化层行为、电容、体二极管反向恢复、雪崩、SOA 及温度效应
- 具备使用 Keysight B1505A、B1506A 或 PID1500 等功率器件分析仪或同等设备测试高压产品的实践经验,并熟悉曲线示踪仪、双脉冲系统、示波器、高压探头、电流探头以及 LCR 或阻抗分析仪
- 了解高压测量规范、爬电距离和电气间隙、开尔文连接、接地、寄生电感、夹具设计和测量相关性
- 具备使用 Python、JMP、Spotfire、MATLAB 或同类工具分析特性评估数据的经验
- 具备扎实的测试硬件技能,包括开发和调试测试板及相关电路
- 优先考虑具备汽车级 SiC MOSFET 开发和 AEC-Q101 认证经验者
- 优先考虑具备将产品从工程特性评估推进至认证和大批量生产经验者
- 优先考虑具备晶圆级与最终测试相关性分析、生产 ATE 筛选和制造数据分析经验者
- 优先考虑具备 SiC 可靠性测试经验者,例如 HTRB、HTGB、TDDB、阈值电压稳定性和高温工作测试
福利待遇
- 提供广泛的福利组合和支持资源,助力个人及职业目标
- 提供多样的职业发展机会
- 开放且协作的工作文化
- 稳定的业务环境
- 有机会与全球及本地团队合作
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