Vishay Intertechnology, Inc.
Vishay Intertechnology, Inc.
Vishay Intertechnology, Inc. разработва и произвежда дискретни полупроводници и пасивни електронни компоненти, използвани в автомобилната индустрия, промишлеността, компютърните технологии, телекомуникациите, авиацията, отбраната, медицината и потребителските продукти. Портфолиото ѝ включва диоди, MOSFET транзистори, силови модули, кондензатори, резистори, индуктивности, оптоелектроника, сензори и компоненти по поръчка. Компанията подпомага производителите на оригинално оборудване и дистрибуторите по целия свят при избора на компоненти, референтните проекти и предоставя инженерна експертиза, насочена към надеждното разработване на продукти.

Инженер по характеризиране на SiC MOSFET – Vishay, работа на място в Тайпе

Характеризирайте, квалифицирайте и пускайте в производство SiC мощни MOSFET транзистори на Vishay чрез високоволтови изпитвания и производствен скрининг. Това е целодневна работа на място в Тайпе, Тайван.

Описание

  • Характеризирайте и оценявайте SiC мощни MOSFET транзистори за квалификация и пускане в производство
  • Планирайте и изпълнявайте изпитвания от инженерни образци до квалификация и пускане в производство
  • Провеждайте DC, AC, температурни, UIS/avalanche, SOA, изпитвания за късо съединение, Qrr, trr и свързани изпитвания при натоварване
  • Изпълнявайте двуимпулсни и ориентирани към приложения комутационни изпитвания, обхващащи Eon/Eoff, времеви параметри, dv/dt, di/dt и звънене
  • Оценявайте работата на устройствата при различни температури, напрежения на шината, токове на дрейна, напрежения за управление на гейта, външни съпротивления на гейта и комутационни условия
  • Проучвайте необичайни електрически резултати и свързвайте констатациите с променливите на устройството, процеса на производство на пластината, корпуса, монтажа и изпитването
  • Създавайте методи за характеризиране на добри и лоши устройства и определяйте електрически характеристики за производствен скрининг
  • Подпомагайте корелацията между лабораторния стенд и ATE, ограниченията в информационния лист, продуктовите спецификации, защитните диапазони и ограниченията на производствените изпитвания
  • Документирайте резултатите от характеризиранията и представяйте технически заключения пред междуфункционални екипи

Изисквания

  • Бакалавърска или магистърска степен по електротехника, електронно инженерство, полупроводниково инженерство, физика или сродна област
  • Обикновено поне пет години опит в характеризиране на мощни полупроводници, продуктово инженерство, инженеринг на устройства или приложно инженерство
  • Практическият опит със SiC MOSFET е силно предпочитан
  • Опитът с мощни устройства от 650 V до 1700 V или повече е много желателен
  • Силни лабораторни, аналитични, статистически и комуникационни умения
  • Задълбочени познания по физика на SiC MOSFET, комутационно поведение, поведение на гейт оксида, капацитет, възстановяване на корпусния диод, лавинен пробив, SOA и температурни ефекти
  • Практически опит с изпитване на високоволтови продукти чрез анализатори на мощни устройства като Keysight B1505A, B1506A или PID1500, или еквивалентно оборудване, както и с трасери на характеристики, двуимпулсни системи, осцилоскопи, високоволтови и токови сонди и LCR или импедансни анализатори
  • Познания за практиките при високоволтови измервания, пълзящи и въздушни разстояния, Kelvin свързвания, заземяване, паразитна индуктивност, проектиране на изпитвателни приспособления и корелация на измерванията
  • Опит в анализ на данни от характеризиране с Python, JMP, Spotfire, MATLAB или сравними инструменти
  • Силни умения за работа с тестов хардуер, включително разработване и отстраняване на неизправности в тестови платки и свързаната схема
  • Опитът в разработването на автомобилни SiC MOSFET и квалификацията по AEC-Q101 е предимство
  • Опитът в извеждането на продукти от инженерно характеризиране през квалификация до широкомащабно производство е предимство
  • Опитът с корелация между изпитвания на ниво пластина и финални изпитвания, производствен ATE скрининг и анализ на производствени данни е предимство
  • Опитът с изпитвания за надеждност на SiC като HTRB, HTGB, TDDB, стабилност на праговото напрежение и работа при висока температура е предимство

Придобивки

  • Широк пакет от придобивки и ресурси в подкрепа на личните и професионалните цели
  • Отлични възможности за професионално развитие
  • Открита култура на сътрудничество
  • Стабилна бизнес среда
  • Възможности за работа с глобални и местни екипи