Vishay Intertechnology, Inc.
Vishay Intertechnology, Inc.
Vishay Intertechnology, Inc. разрабатывает и производит дискретные полупроводники и пассивные электронные компоненты, используемые в автомобильной промышленности, промышленном оборудовании, вычислительной технике, телекоммуникациях, аэрокосмической и оборонной отрасли, медицине и потребительских товарах. В ассортимент компании входят диоды, MOSFET-транзисторы, силовые модули, конденсаторы, резисторы, индуктивности, оптоэлектронные компоненты, датчики и заказные компоненты. Компания поддерживает производителей оригинального оборудования и дистрибьюторов по всему миру, предлагая помощь в подборе компонентов, эталонные схемы и инженерную экспертизу, ориентированную на надежную разработку продукции.

Инженер по характеристике SiC MOSFET — Vishay, работа на объекте в Тайбэе

Проводите характеристику, квалификацию и выпуск силовых SiC MOSFET Vishay с помощью высоковольтных испытаний и производственного контроля. Полная занятость на объекте в Тайбэе, Тайвань.

Описание

  • Проводите характеристику и оценку силовых SiC MOSFET для квалификации и выпуска в производство
  • Планируйте и выполняйте испытания — от инженерных образцов до квалификации и запуска в производство
  • Проводите испытания DC, AC, тепловые испытания, UIS/лавинный пробой, SOA, короткое замыкание, Qrr, trr и другие стресс-тесты
  • Выполняйте двухимпульсные и прикладные коммутационные испытания с анализом Eon/Eoff, временных параметров, dv/dt, di/dt и звонков
  • Оценивайте характеристики приборов при различных температурах, напряжении шины, токе стока, напряжении управления затвором, внешнем сопротивлении затвора и условиях коммутации
  • Исследуйте аномальные электрические результаты и связывайте их с параметрами прибора, технологией изготовления пластины, корпусом, сборкой и испытаниями
  • Разрабатывайте методы различения исправных и неисправных приборов и определяйте электрические сигнатуры для производственного контроля
  • Поддерживайте корреляцию между стендовыми испытаниями и ATE, пределы таблиц данных, спецификации изделий, защитные диапазоны и пределы производственных испытаний
  • Документируйте результаты характеристики и представляйте технические выводы межфункциональным командам

Требования

  • Степень бакалавра или магистра в области электротехники, электронной инженерии, полупроводниковой инженерии, физики или смежной области
  • Обычно не менее пяти лет опыта в характеристике силовых полупроводников, разработке изделий, разработке приборов или прикладной инженерии
  • Опыт работы с SiC MOSFET настоятельно предпочтителен
  • Опыт работы с силовыми приборами на 650–1700 В и выше крайне желателен
  • Сильные навыки лабораторной работы, решения проблем, статистического анализа и технической коммуникации
  • Глубокое знание физики SiC MOSFET, коммутационного поведения, свойств оксида затвора, емкости, восстановления встроенного диода, лавинного пробоя, SOA и температурных эффектов
  • Практический опыт испытаний высоковольтных изделий с помощью анализаторов силовых приборов, таких как Keysight B1505A, B1506A или PID1500, либо эквивалентного оборудования, а также трассировщиков характеристик, двухимпульсных систем, осциллографов, высоковольтных и токовых пробников и LCR- или импедансных анализаторов
  • Знание методов высоковольтных измерений, путей утечки и воздушных зазоров, соединений Кельвина, заземления, паразитной индуктивности, проектирования оснастки и корреляции измерений
  • Опыт анализа данных характеристики с помощью Python, JMP, Spotfire, MATLAB или сопоставимых инструментов
  • Сильные навыки работы с испытательным оборудованием, включая разработку и отладку испытательных плат и связанной схемотехники
  • Опыт разработки автомобильных SiC MOSFET и квалификации по AEC-Q101 предпочтителен
  • Опыт проведения изделий от инженерной характеристики через квалификацию до крупносерийного производства предпочтителен
  • Опыт корреляции на уровне пластины и финальных испытаний, производственного контроля ATE и анализа производственных данных предпочтителен
  • Опыт испытаний надежности SiC, таких как HTRB, HTGB, TDDB, стабильность порогового напряжения и работа при высокой температуре, предпочтителен

Преимущества

  • Широкий пакет льгот и вспомогательные ресурсы для личных и профессиональных целей
  • Заметные возможности для профессионального развития
  • Открытая культура сотрудничества
  • Стабильная деловая среда
  • Возможности работать с глобальными и локальными командами