Normal Computing
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51 – 200 Empleados
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Arquitecto de memoria

En Normal Computing, convierte los conceptos de Thermo In-Memory Computing en silicio para inferencia de IA. Diseña arquitecturas de memoria, interfaces, modelos y tapeouts de chips de prueba.

Descripción

  • Lleva los conceptos de Thermo In-Memory Computing de la teoría al silicio.
  • Rediseña las rutas de acceso a memoria, la organización de matrices y la microarquitectura para coordinar las operaciones de memoria con la computación de alto rendimiento.
  • Apunta a mejoras de entre 100 y 1000 veces en el rendimiento de la inferencia de IA.
  • Reporta al director de Ingeniería de Silicio.
  • Colabora con científicos, microarquitectos e ingenieros de diseño físico y analógico.
  • Desarrolla una biblioteca de celdas estándar que combina primitivas de cómputo digital con primitivas de cómputo ThermoDRAM.
  • Convierte las primitivas de cómputo en un sistema de computación en memoria de alto rendimiento.
  • Gestiona las relaciones técnicas con fabricantes importantes, desde la adquisición de PDK hasta el tapeout de chips de prueba y la producción de silicio.
  • Define la arquitectura de procesamiento en memoria, los requisitos de memoria, los planos de distribución, los circuitos de lectura y escritura y los decodificadores de filas y columnas.
  • Diseña rutas de datos locales y globales, buses segmentados y redes de interconexión en el chip.
  • Gestiona la distribución y los presupuestos de energía, los límites térmicos, la redundancia, ECC, la retención y los aspectos relacionados con el rendimiento de fabricación.
  • Gestiona el acceso a PDK y fábricas, la evaluación de reglas de diseño, la planificación del tapeout en lanzaderas, el contenido de los chips de prueba, los calendarios y la puesta en marcha.
  • Colabora con ingenieros analógicos en bibliotecas de dispositivos primitivos y establece requisitos arquitectónicos de rendimiento.
  • Define interfaces de memoria personalizadas, incluidas interfaces SERDES, PCIe, Ethernet, DDR5, LP6 o de clase HBM.
  • Supervisa modelos SPICE, analíticos y a nivel de ciclo para evaluar el rendimiento, la energía y el rendimiento de fabricación.
  • Colabora con ingenieros de rendimiento y aprendizaje automático para validar las mejoras a nivel de carga de trabajo.

Requisitos

  • Amplia experiencia en arquitectura de memoria o diseño de circuitos en un fabricante de memoria o una empresa de computación centrada en memoria.
  • Conocimiento profundo de celdas SRAM 1T, 3T, 6T y 8T; celdas de bit DRAM; capacitancia; detección; operaciones de lectura y escritura; temporización del núcleo; retención y fiabilidad.
  • Experiencia práctica con memoria integrada o tecnología de memoria de acceso aleatorio y PDK.
  • Experiencia en el desarrollo de chips de prueba de memoria hasta el tapeout.
  • Capacidad para relacionar el comportamiento de circuitos a nivel SPICE con modelos arquitectónicos de rendimiento y energía.
  • Sólidos fundamentos de programación en Python, C, C++ u otro lenguaje para modelado y predicción del rendimiento.
  • Experiencia con RTL y SystemVerilog.
  • Experiencia con tipos de interfaces de memoria.
  • Excelentes habilidades de comunicación oral y escrita.

Beneficios

  • La empresa ofrece igualdad de oportunidades y está comprometida con la diversidad y la inclusión.
  • Se ofrecen ajustes razonables a las personas con discapacidad.
  • Se aplican protecciones de privacidad a la información personal relacionada con el empleo de quienes presentan su candidatura.

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